Numéro de produit du fabricant:
SISF00DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SISF00DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Inventaire:
20549 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12787103
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SOUMETTRE
SISF00DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2700pF @ 15V
Puissance - Max
69.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Numéro de produit de base
SISF00
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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