SIS822DNT-T1-GE3

Numéro de produit du fabricant:

SIS822DNT-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIS822DNT-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

Description détaillée:

N-Channel 30 V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventaire:

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12919572

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SOUMETTRE

SIS822DNT-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Vishay

Emballage

Tape & Reel (TR)

Série

-

État du produit

Active

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

12A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs

24mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

435 pF @ 15 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

15.6W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

PowerPAK® 1212-8

Emballage / Caisse

PowerPAK® 1212-8

Numéro de produit de base

SIS822

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

3,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE

RF4E080BNTR

FABRICANT

Rohm Semiconductor

QUANTITÉ DISPONIBLE

2036

NUMÉRO DE PIÈCE

RF4E080BNTR-DG

PRIX UNITAIRE

0.22

TYPE DE SUBSTITUT

MFR Recommended

NUMÉRO DE PIÈCE

RF4E075ATTCR

FABRICANT

Rohm Semiconductor

QUANTITÉ DISPONIBLE

7776

NUMÉRO DE PIÈCE

RF4E075ATTCR-DG

PRIX UNITAIRE

0.19

TYPE DE SUBSTITUT

MFR Recommended

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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