Numéro de produit du fabricant:
SIS176LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIS176LDN-T1-GE3-DG
Description:
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Description détaillée:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
19887 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12950360
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SOUMETTRE
SIS176LDN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
70 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1660 pF @ 35 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIS176LDN-T1-GE3TR
742-SIS176LDN-T1-GE3DKR
742-SIS176LDN-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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