SIRB40DP-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIRB40DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIRB40DP-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Description détaillée:
Mosfet Array 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventaire:

12917275
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SOUMETTRE

SIRB40DP-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
40V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4290pF @ 20V
Puissance - Max
46.2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de produit de base
SIRB40

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIRB40DP-T1-GE3CT
SIRB40DP-T1-GE3TR
SIRB40DP-T1-GE3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
HP8K24TB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
9480
NUMÉRO DE PIÈCE
HP8K24TB-DG
PRIX UNITAIRE
0.55
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SH8KA7GZETB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2500
NUMÉRO DE PIÈCE
SH8KA7GZETB-DG
PRIX UNITAIRE
0.76
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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