Numéro de produit du fabricant:
SIRA60DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIRA60DP-T1-RE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12786158
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SOUMETTRE
SIRA60DP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.94mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Certification DIGI
Produits Connexes
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