SIR870ADP-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIR870ADP-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIR870ADP-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

12965905
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SIR870ADP-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2866 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR870

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SIR870ADP-T1-GE3TR
SIR870ADP-T1-GE3CT
SIR870ADP-T1-GE3DKR
SIR870ADPT1GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
BSC060N10NS3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
12802
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC060N10NS3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.17
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3L045GNGZETB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1173
NUMÉRO DE PIÈCE
RS3L045GNGZETB-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDMS86101DC
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
5806
NUMÉRO DE PIÈCE
FDMS86101DC-DG
PRIX UNITAIRE
1.94
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC070N10NS3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
10181
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC070N10NS3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STL100N10F7
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
88704
NUMÉRO DE PIÈCE
STL100N10F7-DG
PRIX UNITAIRE
0.98
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SIB455EDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SI7469DP-T1-E3

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP6N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB

vishay-siliconix

SUG80050E-GE3

MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC