Numéro de produit du fabricant:
SIR866DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIR866DP-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12787329
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SOUMETTRE
SIR866DP-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4730 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR866
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIR866DP-T1-GE3DKR
SIR866DPT1GE3
SIR866DP-T1-GE3TR
SIR866DP-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIR800DP-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
6377
NUMÉRO DE PIÈCE
SIR800DP-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.62
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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