Numéro de produit du fabricant:
SIR800ADP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIR800ADP-T1-RE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 20 V 50.2A (Ta), 177A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12039 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12920744
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIR800ADP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50.2A (Ta), 177A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.35mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+12V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3415 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR800
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIR800ADP-T1-RE3TR
SIR800ADP-T1-RE3CT
SIR800ADP-T1-RE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SUM50P10-42-E3
MOSFET N-CH 100V 36A TO263
SIHH180N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
2SJ652-1E
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
