Numéro de produit du fabricant:
SIR432DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIR432DP-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 100 V 28.4A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
12916538
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SOUMETTRE
SIR432DP-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
30.6mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1170 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 54W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIR432
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SQJ456EP-T1_GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
4428
NUMÉRO DE PIÈCE
SQJ456EP-T1_GE3-DG
PRIX UNITAIRE
2.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7454DDP-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7454DDP-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.54
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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