Numéro de produit du fabricant:
SIJH600E-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIJH600E-T1-GE3-DG
Description:
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 60 V 37A (Ta), 373A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventaire:
876 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967435
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SOUMETTRE
SIJH600E-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Ta), 373A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.92mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
212 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9950 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 8 x 8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SIJH600E-T1-GE3DKR
742-SIJH600E-T1-GE3CT
742-SIJH600E-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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