SIJ462ADP-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIJ462ADP-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIJ462ADP-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 15.8A (Ta), 39.3A (Tc) 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

11348 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967120
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SOUMETTRE

SIJ462ADP-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1235 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIJ462

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIJ462ADP-T1-GE3TR
742-SIJ462ADP-T1-GE3CT
742-SIJ462ADP-T1-GE3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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