Numéro de produit du fabricant:
SIHU4N80AE-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHU4N80AE-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventaire:
2995 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786674
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SOUMETTRE
SIHU4N80AE-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
622 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
69W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK (TO-251)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Numéro de produit de base
SIHU4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2266-SIHU4N80AE-GE3
SIHU4N80AE-GE3-DG
742-SIHU4N80AE-GE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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