Numéro de produit du fabricant:
SIHP35N60EF-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHP35N60EF-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12919102
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SOUMETTRE
SIHP35N60EF-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
EF
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
97mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2568 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP35
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SIHP35N60EF-GE3DKR-DG
SIHP35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHP35N60EF-GE3TR
SIHP35N60EF-GE3CT
SIHP35N60EF-GE3TR-DG
SIHP35N60EF-GE3TRINACTIVE
SIHP35N60EF-GE3DKR
SIHP35N60EF-GE3CT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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