SIHP28N65E-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHP28N65E-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHP28N65E-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

12787750
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SIHP28N65E-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
112mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3405 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP28

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FCP125N60E
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
253
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP125N60E-DG
PRIX UNITAIRE
2.44
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP34NM60ND
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
969
NUMÉRO DE PIÈCE
STP34NM60ND-DG
PRIX UNITAIRE
5.81
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R125CPXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
4944
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R125CPXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
3.00
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R099P7XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1904
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R099P7XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.78
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SQM40061EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 100A TO263

vishay-siliconix

SIHF35N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 32A TO220

vishay-siliconix

SISA72DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIS496EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8