SIHP21N60EF-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHP21N60EF-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHP21N60EF-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

12787152
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SOUMETTRE

SIHP21N60EF-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
176mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2030 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP21

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
2266-SIHP21N60EF-GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R199CPXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
512
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R199CPXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.75
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP65R190C7FKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
499
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP65R190C7FKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.23
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R180C7XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
572
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R180C7XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.23
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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