Numéro de produit du fabricant:
SIHP14N50D-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHP14N50D-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12917831
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SOUMETTRE
SIHP14N50D-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1144 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP14
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SIHP14N50DE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP12N50M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
850
NUMÉRO DE PIÈCE
STP12N50M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.64
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG14N50D-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
491
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG14N50D-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.36
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
STP14NM50N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
892
NUMÉRO DE PIÈCE
STP14NM50N-DG
PRIX UNITAIRE
1.69
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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