Numéro de produit du fabricant:
SIHJ8N60E-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHJ8N60E-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
2923 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786061
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIHJ8N60E-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
520mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
754 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIHJ8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIHJ8N60E-T1-GE3CT
SIHJ8N60E-T1-GE3TR
SIHJ8N60E-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
SQD50N05-11L_GE3
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
SIRA12DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
