Numéro de produit du fabricant:
SIHG47N65E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHG47N65E-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventaire:
489 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12787065
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIHG47N65E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
72mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5682 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
417W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG47
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SIHG47N65E-GE3-DG
2266-SIHG47N65E-GE3
742-SIHG47N65E-GE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH070N60E
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
473
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH070N60E-DG
PRIX UNITAIRE
5.38
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
APT47N60BC3G
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
2
NUMÉRO DE PIÈCE
APT47N60BC3G-DG
PRIX UNITAIRE
10.09
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPW65R080CFDAFKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
493
NUMÉRO DE PIÈCE
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
5.98
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
SUD50P04-09L-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SUM110N05-06L-E3
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
