Numéro de produit du fabricant:
SIHG22N65E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHG22N65E-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventaire:
12964780
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SOUMETTRE
SIHG22N65E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2415 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG22
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW28N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
96
NUMÉRO DE PIÈCE
STW28N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.56
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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