SIHG17N80AEF-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHG17N80AEF-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHG17N80AEF-GE3-DG

Description:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Description détaillée:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventaire:

296 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12949159
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SOUMETTRE

SIHG17N80AEF-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
EF
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
305mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
179W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
SIHG17N80AEF-GE3-DG
Fiches techniques
SIHG17N80AEF-GE3

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
742-SIHG17N80AEF-GE3

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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