SIHFR430ATRR-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHFR430ATRR-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHFR430ATRR-GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

13277362
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SOUMETTRE

SIHFR430ATRR-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.7Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
490 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SIHFR430

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIHFR430ATRR-GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR430ATRPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1763
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR430ATRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.71
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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