Numéro de produit du fabricant:
SIHFR1N60A-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHFR1N60A-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12965596
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SOUMETTRE
SIHFR1N60A-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
229 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
36W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SIHFR1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIHFR1N60A-GE3CTINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3CT-DG
SIHFR1N60A-GE3DKRINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3DKR
SIHFR1N60A-GE3DKR-DG
SIHFR1N60A-GE3CT
SIHFR1N60A-GE3TR-DG
SIHFR1N60A-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR1N60APBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
3041
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR1N60APBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.59
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJQ112E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
