Numéro de produit du fabricant:
SIHFL210TR-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHFL210TR-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 200V
Description détaillée:
N-Channel 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
378 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977792
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SOUMETTRE
SIHFL210TR-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
960mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
742-SIHFL210TR-GE3CT
742-SIHFL210TR-GE3TR
742-SIHFL210TR-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFL210TRPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
6353
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFL210TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHLU024-GE3
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
SIHP6N40D-BE3
N-CHANNEL 400V
SIHFR320TR-GE3
MOSFET N-CHANNEL 400V
