Numéro de produit du fabricant:
SIHF520STRR-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHF520STRR-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
13277383
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIHF520STRR-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
270mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHF520
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
742-SIHF520STRR-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHD3N50DT5-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIHF520STRL-GE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
SIHFR430ATR-GE3
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK