Numéro de produit du fabricant:
SIHD14N60ET4-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHD14N60ET4-GE3-DG
Description:
N-CHANNEL 600V
Description détaillée:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
2960 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977812
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SOUMETTRE
SIHD14N60ET4-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1205 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
147W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIHD14N60ET4-GE3CT
742-SIHD14N60ET4-GE3TR
742-SIHD14N60ET4-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHD14N60ET1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1644
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHD14N60ET1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.87
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHD14N60ET5-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2996
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHD14N60ET5-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.85
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SQJ431AEP-T1_BE3
P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
SQJ418EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
SQJ476EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
