Numéro de produit du fabricant:
SIHB5N80AE-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHB5N80AE-GE3-DG
Description:
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Description détaillée:
N-Channel 800 V 4.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
840 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12993139
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SOUMETTRE
SIHB5N80AE-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
321 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
742-SIHB5N80AE-GE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJA138K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
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AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
