Numéro de produit du fabricant:
SIHB22N60ET1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHB22N60ET1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Description détaillée:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
565 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786399
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SOUMETTRE
SIHB22N60ET1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1920 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB22
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
SIHB22N60ET1-GE3DKR
SIHB22N60ET1-GE3-DG
SIHB22N60ET1-GE3TR
SIHB22N60ET1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA22N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
250
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA22N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
2.56
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
R6020ENJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
9101
NUMÉRO DE PIÈCE
R6020ENJTL-DG
PRIX UNITAIRE
1.15
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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