Numéro de produit du fabricant:
SIHB16N50C-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHB16N50C-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
945 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12920371
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SOUMETTRE
SIHB16N50C-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB16
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SIHB16N50C-E3DKR-DG
SIHB16N50C-E3-DG
SIHB16N50C-E3CT-DG
SIHB16N50C-E3CT
SIHB16N50C-E3TR
SIHB16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHB16N50C-E3CTINACTIVE
SIHB16N50C-E3DKR
742-SIHB16N50C-E3
SIHB16N50C-E3TR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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