Numéro de produit du fabricant:
SIHA6N65E-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHA6N65E-GE3-DG
Description:
N-CHANNEL 650V
Description détaillée:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventaire:
12977782
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SOUMETTRE
SIHA6N65E-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
E
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1640 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
742-SIHA6N65E-GE3CT
742-SIHA6N65E-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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