Numéro de produit du fabricant:
SIHA24N80AE-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHA24N80AE-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Description détaillée:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventaire:
751 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12989256
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SOUMETTRE
SIHA24N80AE-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1836 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
SIHA24
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
742-SIHA24N80AE-GE3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
GT105N10K
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
AIMBG120R040M1XTMA1
SIC_DISCRETE
BSC033N08NS5SCATMA1
TRENCH 40<-<100V
