Numéro de produit du fabricant:
SIHA15N50E-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIHA15N50E-E3-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Description détaillée:
N-Channel 500 V 14.5A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventaire:
980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12786904
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIHA15N50E-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1162 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
SIHA15
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
742-SIHA15N50E-E3
SIHA15N50E-E3-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
SIS407ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
SIR640ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
