Numéro de produit du fabricant:
SIDR870ADP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIDR870ADP-T1-RE3-DG
Description:
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 100 V 21.8A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventaire:
22399 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12987476
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SOUMETTRE
SIDR870ADP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21.8A (Ta), 95A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2866 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8DC
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIDR870ADP-T1-RE3TR
742-SIDR870ADP-T1-RE3DKR
742-SIDR870ADP-T1-RE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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