Numéro de produit du fabricant:
SIDR220EP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIDR220EP-T1-RE3-DG
Description:
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 25 V 92.8A (Ta), 415A (Tc) 6.25W (Ta), 415W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventaire:
5988 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12993533
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SOUMETTRE
SIDR220EP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
92.8A (Ta), 415A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10850 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6.25W (Ta), 415W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8DC
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SIDR220EP-T1-RE3TR
742-SIDR220EP-T1-RE3DKR
742-SIDR220EP-T1-RE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
ISC036N04NM5ATMA1
40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
MCU15N10B-TP
Interface
STB30N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
