Numéro de produit du fabricant:
SI8819EDB-T2-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8819EDB-T2-E1-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Description détaillée:
P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Inventaire:
5990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12913841
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SOUMETTRE
SI8819EDB-T2-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 3.7V
rds activé (max) @ id, vgs
80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
650 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Emballage / Caisse
4-XFBGA
Numéro de produit de base
SI8819
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8819EDB-T2-E1-DG
SI8819EDB-T2-E1TR
SI8819EDB-T2-E1DKR
SI8819EDB-T2-E1CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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