SI8806DB-T2-E1
Numéro de produit du fabricant:

SI8806DB-T2-E1

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI8806DB-T2-E1-DG

Description:

MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Description détaillée:
N-Channel 12 V 2.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Inventaire:

1200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12914364
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SOUMETTRE

SI8806DB-T2-E1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
43mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-Microfoot
Emballage / Caisse
4-XFBGA
Numéro de produit de base
SI8806

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8806DB-T2-E1CT
SI8806DB-T2-E1DKR
SI8806DB-T2-E1TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
PMCM4401VNEAZ
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
70616
NUMÉRO DE PIÈCE
PMCM4401VNEAZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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