Numéro de produit du fabricant:
SI8409DB-T1-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8409DB-T1-E1-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Description détaillée:
P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventaire:
7976 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12921422
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SOUMETTRE
SI8409DB-T1-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
46mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.47W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-Microfoot
Emballage / Caisse
4-XFBGA, CSPBGA
Numéro de produit de base
SI8409
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8409DB-T1-E1TR
SI8409DBT1E1
SI8409DB-T1-E1DKR
SI8409DB-T1-E1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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