Numéro de produit du fabricant:
SI8404DB-T1-E1
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI8404DB-T1-E1-DG
Description:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Description détaillée:
N-Channel 8 V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventaire:
12915406
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SOUMETTRE
SI8404DB-T1-E1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
8 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
31mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1950 pF @ 4 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-Microfoot
Emballage / Caisse
4-XFBGA, CSPBGA
Numéro de produit de base
SI8404
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI8404DBT1E1
SI8404DB-T1-E1CT
SI8404DB-T1-E1TR
SI8404DB-T1-E1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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