Numéro de produit du fabricant:
SI7922DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7922DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Description détaillée:
Mosfet Array 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventaire:
42035 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12920167
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SOUMETTRE
SI7922DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
100V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.8A
rds activé (max) @ id, vgs
195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
1.3W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8 Dual
Numéro de produit de base
SI7922
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7922DN-T1-GE3TR
SI7922DNT1GE3
SI7922DN-T1-GE3CT
SI7922DN-T1-GE3DKR
Q7011816
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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