Numéro de produit du fabricant:
SI7909DN-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7909DN-T1-E3-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventaire:
12786658
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SOUMETTRE
SI7909DN-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.3A
rds activé (max) @ id, vgs
37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
1.3W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8 Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8 Dual
Numéro de produit de base
SI7909
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7913DN-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1751
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7913DN-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.62
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIZ914DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
SIZ900DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR
