Numéro de produit du fabricant:
SI7810DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7810DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Description détaillée:
N-Channel 100 V 3.4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
891 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12919910
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SOUMETTRE
SI7810DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
62mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7810
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7810DN-T1-GE3TR
SI7810DN-T1-GE3CT
SI7810DNT1GE3
SI7810DN-T1-GE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
AON7296
FABRICANT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
125823
NUMÉRO DE PIÈCE
AON7296-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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