Numéro de produit du fabricant:
SI7720DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7720DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
12914325
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SOUMETTRE
SI7720DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SkyFET®, TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1790 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7720
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7720DNT1GE3
SI7720DN-T1-GE3DKR
SI7720DN-T1-GE3TR
SI7720DN-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E100MNTB1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
5261
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E100MNTB1-DG
PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E080BNTB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
40431
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E080BNTB-DG
PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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