SI7489DP-T1-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SI7489DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI7489DP-T1-GE3-DG

Description:

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Description détaillée:
P-Channel 100 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

9409 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12913695
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SOUMETTRE

SI7489DP-T1-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
41mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.2W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SI7489

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7489DP-T1-GE3DKR
SI7489DP-T1-GE3TR
SI7489DPT1GE3
SI7489DP-T1-GE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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