Numéro de produit du fabricant:
SI7407DN-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7407DN-T1-E3-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Description détaillée:
P-Channel 12 V 9.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
12916962
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SOUMETTRE
SI7407DN-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7407
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7613DN-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
52730
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7613DN-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.36
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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