Numéro de produit du fabricant:
SI7317DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7317DN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Description détaillée:
P-Channel 150 V 2.8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
10437 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12954275
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SOUMETTRE
SI7317DN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
365 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7317
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7317DN-T1-GE3TR
SI7317DN-T1-GE3DKR
SI7317DN-T1-GE3CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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