Numéro de produit du fabricant:
SI7120ADN-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7120ADN-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Description détaillée:
N-Channel 60 V 6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
3413 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12919486
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI7120ADN-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
21mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7120
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7120ADNT1GE3
SI7120ADN-T1-GE3DKR
SI7120ADN-T1-GE3CT
SI7120ADN-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PSMN6R1-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
SUM60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO263
SI7674DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8