Numéro de produit du fabricant:
SI7113DN-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI7113DN-T1-E3-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Description détaillée:
P-Channel 100 V 13.2A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaire:
18149 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12915117
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI7113DN-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
134mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1480 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base
SI7113
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI7113DN-T1-E3TR
SI7113DNT1E3
SI7113DN-T1-E3CT
SI7113DN-T1-E3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI3456DDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
IRFR9120
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
SI7888DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8