Numéro de produit du fabricant:
SI6473DQ-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI6473DQ-T1-E3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Description détaillée:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventaire:
12919530
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SOUMETTRE
SI6473DQ-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.08W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSSOP
Emballage / Caisse
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Numéro de produit de base
SI6473
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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