Numéro de produit du fabricant:
SI5975DC-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI5975DC-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventaire:
12914644
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SOUMETTRE
SI5975DC-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.1A
rds activé (max) @ id, vgs
86mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
1.1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
1206-8 ChipFET™
Numéro de produit de base
SI5975
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI5935CDC-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
11398
NUMÉRO DE PIÈCE
SI5935CDC-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
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