Numéro de produit du fabricant:
SI5938DU-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI5938DU-T1-E3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Inventaire:
12920260
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SI5938DU-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A
rds activé (max) @ id, vgs
39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
520pF @ 10V
Puissance - Max
8.3W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® ChipFet Dual
Numéro de produit de base
SI5938
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI5938DU-T1-GE3TR
SI5938DU-T1-E3CT
SI5938DU-T1-GE3CT
SI5938DU-T1-GE3TR-DG
SI5938DU-T1-E3DKR
SI5938DU-T1-GE3DKR
SI5938DU-T1-GE3CT-DG
SI5938DU-T1-GE3
SI5938DUT1E3
SI5938DU-T1-GE3DKR-DG
SI5938DU-T1-E3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI4564DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
SQ9945BEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
SI4388DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
