Numéro de produit du fabricant:
SI5920DC-T1-E3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI5920DC-T1-E3-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Description détaillée:
Mosfet Array 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventaire:
12914302
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SOUMETTRE
SI5920DC-T1-E3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
8V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A
rds activé (max) @ id, vgs
32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
680pF @ 4V
Puissance - Max
3.12W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
1206-8 ChipFET™
Numéro de produit de base
SI5920
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI5920DC-T1-E3DKR
SI5920DC-T1-E3CT
SI5920DCT1E3
SI5920DC-T1-E3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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